技術(shù)文章
TECHNICAL ARTICLES薄膜分析厚度從幾個(gè)?到幾個(gè)mm的薄膜的性質(zhì)與相似的塊體材料的性質(zhì)會(huì)明顯不同。X射線衍射廣泛用于表征各種類(lèi)型的薄膜，包括單層膜、涂層和多層膜。前些章節(jié)中大部分的理論和方法可用于薄膜體系。然而，X射線對(duì)于薄膜的穿透能力高，所以?xún)x器的配置、數(shù)據(jù)采集和評(píng)價(jià)方法可能不同于塊狀材料。配置2D探測(cè)器的儀器和應(yīng)用也不同于點(diǎn)探測(cè)器的衍射儀。掠入射X射線衍射掠入射X射線衍射(GIXRD)是通常用于薄膜分析的X射線散射方法。圖1(a)是點(diǎn)探測(cè)器的GIXRD的配置。單個(gè)的拋物線形狀彎曲的G?bel鏡...
晶材料里的晶粒取向可用織構(gòu)進(jìn)行分析。有些情況下的晶粒取向例如晶面相對(duì)于樣品坐標(biāo)的取向、兩個(gè)晶面之間的夾角和硅片的斜切角等，不需要完整的織構(gòu)分析，使用2D衍射圖像分析即可。1、晶面相對(duì)于樣品坐標(biāo)的取向符號(hào)晶面相對(duì)于樣品坐標(biāo)的取向可以從其在2D圖像中的位置(2θ，γ)和樣品取向(ω，ψ，Φ)計(jì)算出來(lái)。晶體的取向需要至少有兩個(gè)不平行的晶面相對(duì)于樣品坐標(biāo)的取向才能確定?！鴪D1：晶面相對(duì)于樣品坐標(biāo)的取向圖1是衍射斑點(diǎn)以及晶面在樣品坐標(biāo)中的取向示意圖。晶面相對(duì)于樣品坐標(biāo)的取向可由...
天然氣水合物是在一定的條件下（如溫度，壓力，氣體飽和度等）由天然氣和水形成的類(lèi)冰的，非化學(xué)計(jì)量，籠型結(jié)晶化合物，因?yàn)槠溆龌鸺纯扇紵杂纸小耙兹急被颉翱扇急?。在天然氣水合物中，水分子通過(guò)氫鍵的結(jié)合成多面體籠的骨架結(jié)構(gòu)，而天然氣分子是作為客體分子被包含其中。其化學(xué)式通常表示為M.nH2O,M為氣體分子化學(xué)式，通常為甲烷，乙烷，丙烷，丁烷等同系物。在常溫常壓下，天然氣水合物是不穩(wěn)定的。其合成和研究需要低溫或高壓的環(huán)境。X射線衍射作為晶體物相的重要研究手段，在天然氣水合物的研...
多晶材料是由各晶粒組成的。晶粒對(duì)材料的性能影響很大，特別是隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，很多材料可在晶粒尺寸上大做文章。比如，近年來(lái)比較熱門(mén)的納米材料，當(dāng)晶粒尺寸達(dá)到納米量級(jí)，材料各方面的性能都會(huì)有很大變化。既然，晶粒尺寸很重要，那么，如何去測(cè)定晶粒尺寸呢？常用的有以下幾種方法：1）金相顯微鏡法：由于分辨率的限制，通常只適用于晶粒比較大（亞微米、微米級(jí)）的樣品分析；2）掃描電鏡法：一般只能分析顆粒尺寸，無(wú)法分辨晶粒尺寸；3）透射電鏡法：制樣困難，且為微區(qū)分析，統(tǒng)計(jì)性比較差；4）X射線衍...
D2PHASER是一臺(tái)便攜式X射線衍射儀它可廣泛應(yīng)用于研究和質(zhì)量控制。它操作簡(jiǎn)便，使用方便。配備了LYNXEYE探測(cè)器的D2PHASER衍射儀是目前市場(chǎng)上速度快，精度高的桌面衍射儀系統(tǒng)。現(xiàn)在介紹一下D2衍射儀分析可吸入二氧化硅的應(yīng)用。可吸入二氧化硅已經(jīng)被確認(rèn)可以導(dǎo)致肺癌和其他的一些健康問(wèn)題。而二氧化硅是土壤和巖石的典型的組成部分。在諸如礦工，硅藻土和建筑工人，花崗巖，陶器，耐火磚，鑄造工人等職業(yè)中，由可吸入二氧化硅導(dǎo)致的職業(yè)病已經(jīng)引起高度重視。而在這些工人的工作環(huán)境中，可吸入...
材料中所有物相含量，包括非晶相的含量，對(duì)于材料的性能至關(guān)重要。為了全面了解材料的性能，很多行業(yè)都關(guān)注非晶態(tài)的含量，如水泥業(yè)、礦物及采礦業(yè)（無(wú)序粘土）、聚合物、制藥業(yè)等。1、XRD非晶態(tài)定量相分析的困難利用XRD進(jìn)行晶態(tài)相的定量相分析，理論基礎(chǔ)完善，分析方法比較成熟，有大量相關(guān)文獻(xiàn)，好多方法集成到相關(guān)軟件中。然而，對(duì)非晶態(tài)定量分析還存在不少困難，主要有以下幾點(diǎn)：?非晶漫散峰在XRD圖譜中往往不是很明顯，特別是含量較低時(shí)?較寬的漫射峰會(huì)增加衍射峰重疊問(wèn)題?難以區(qū)分衍射峰拖尾、非晶...
新一代的D8QUEST/VENTURE配備了更強(qiáng)的光源，更靈敏，更大的探測(cè)器，讓我們能夠更高效地收集更高分辨率的數(shù)據(jù)。晶體數(shù)據(jù)分辨率的提高，讓我們能夠更清晰地看到原子世界的奧秘，比如成鍵電子，孤對(duì)電子等。然而50多年來(lái)，我們使用的結(jié)構(gòu)精修方法，采用的是獨(dú)立原子模型（IndependentAtomModel,IAM），無(wú)法完美地描述真實(shí)的電子云形狀。因而對(duì)于高分辨率的數(shù)據(jù)，IAM結(jié)構(gòu)精修方法反而會(huì)導(dǎo)致更高的R1值。為此，很多時(shí)候?yàn)榱税l(fā)表文章，或者迎合checkcif，我們只好忍...
國(guó)內(nèi)的高溫臺(tái)數(shù)量驚人，但是國(guó)內(nèi)能提供高水平高溫測(cè)試的XRD用戶(hù)數(shù)量少之又少。主要是因?yàn)閷?duì)高溫臺(tái)了解的不夠多。下面簡(jiǎn)述高溫臺(tái)使用過(guò)程中您必須知道的內(nèi)容。1加熱方式高溫臺(tái)加熱方式分為三種：(1)直接加熱。包括電阻加熱和加熱帶加熱。優(yōu)點(diǎn)是加熱速度快，但樣品有溫度梯度。電阻加熱的優(yōu)勢(shì)在于可以加熱，也可以降到很低的溫度。例如MTC-LOWTEMP屬于電阻加熱，如圖1。而MTC-HIGH屬于加熱帶加熱，如圖2。(2)環(huán)境加熱。不同于直接加熱方式時(shí)樣品放置在加熱帶上，環(huán)境加熱時(shí)的樣品放置在...
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